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Transistor MOSFET G15 canal P 12 V 8A (Tc) 2W (Tc) SMD SOT-23-3 G15

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Quantité minimale : 1 pièce
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Spécification

standard
Personnalisation
PCBA (Quantité min. : 1 pièce)

Caractéristiques

Référence fabricant

G15

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

Transistor MOSFET G15

Point d'origine

China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
G15
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface
Description
Transistor MOSFET G15
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-236-3
Code date de fabrication
Neuf
Application
Transistor MOSFET
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
N/A
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
N/A
Courant-coupure de collecteur (Max)
N/A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Puissance Max
2W (Tc)
Résistance-socle (R1)
N/A
Résistance-socle émetteur (R2)
N/A
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
21 mOhms à 1 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 10 V
Fréquence
N/A
Courant nominal (ampères)
N/A
Facteur de bruit
N/A
Alimentation-Sortie
N/A
Tension Nominale
N/A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±8V
Type IGBT
N/A
Configuration
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
N/A
Entrée
N/A
Thermistance NTC
N/A
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
N/A
Type de montage
-2-SMD-DIP
Marque
Original
Temps de stockage
3-5 jours
adresse de livraison
Shenzhen
Description
G15
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Applications
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

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PCBA(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
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