Transistor à effet de champ IGBT G60H65DFB STGW60H65DFB TO-247 60A 650V
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Attributs
Transistor IGBTType
standardType de montage
StandardFET Caractéristique
standardConfiguration
TO-247Package/Boîte
Transistor à effet de champ IGBTDescription
Référence fabricant:STGW60H65DFB
Marque nom:hkst
Point d'origine:China
Température de fonctionnement:standard
Code date de fabrication:NEUF
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:standard
Résistance-socle (R1):standard
Résistance-socle émetteur (R2):standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:standard
Vgs (th) (Max) @ Id:standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:standard
Fréquence:standard
Courant nominal (ampères):standard
Facteur de bruit:standard
Alimentation-Sortie:standard
Tension Nominale:standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):standard
Vgs (Max):standard
Type IGBT:standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:standard
Entrée:standard
Thermistance NTC:standard
Tension-panne (V (BR) GSS):standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):standard
Vidange de courant (Id)-Max:standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id:standard
Résistance-RDS (On):standard
Tension-Sortie:standard
Tension-décalage (Vt):standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):standard
Courant-vallée (Iv):standard
Courant-Crête:standard
Transistor Type:IGBT
Expédition par:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Modes de paiement:PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantie commerciale
Service de liste BOM:Services de support BOM tout-en-un
Délai de livraison:1-3 jours ouvrables
Prix unitaire:Pla Contactez-nous~
Caractéristiques du produit
Type
Transistor IGBT
Type de montage
standard
FET Caractéristique
Standard
Configuration
standard
Package/Boîte
TO-247
Description
Transistor à effet de champ IGBT
Référence fabricant
STGW60H65DFB
Marque nom
hkst
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
standard
Code date de fabrication
NEUF
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
IGBT
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Modes de paiement
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantie commerciale
Service de liste BOM
Services de support BOM tout-en-un
Délai de livraison
1-3 jours ouvrables
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