Composants électroniques de circuit mémoire GD25LB128EWIGR 8 WDFN à contacts apparents, originaux
Aucun avis pour l'instant
Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
3000 - 5999 pièce
0,5771 €
>= 6000 pièce
0,2907 €
Options
SélectionnerExpédition
Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Payez en 4X sans frais avec
Protection des commandes Alibaba.com
Paiements sécurisés
Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.
Protection de remboursement
Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit
Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par
