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Mémoire à pad exposé GD25LE40EKIGR 8 XFDFN – Achetez des composants électroniques en ligne – Canal Fabricant

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3 000-5 999 pièce
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≥6 000 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

GD25LE40EKIGR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

4Mbit

Point d'origine

China

Description

IC FLASH 4Mbit SPI/QUAD 8-USON

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
GD25LE40EKIGR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
4Mbit
Point d'origine
China
Description
IC FLASH 4Mbit SPI/QUAD 8-USON
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-XFDFN avec pad exposé
Série
GD25LE
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NOR (SLC)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
512K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
60µs, 2,4ms
Interface mémoire
SPI - Quad I/O
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs