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Mémoire à pad exposé GD5F1GQ5REYJGR 8 WDFN – Achetez des composants électroniques en ligne auprès d'un distributeur agréé

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1,12 €
3 000-5 999 pièce
0,5616 €
≥6 000 pièce
Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

GD5F1GQ5REYJGR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

1Gbit

Point d'origine

China

Description

Mémoire flash IC 1Gbit SPI/QUAD

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
GD5F1GQ5REYJGR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
1Gbit
Point d'origine
China
Description
Mémoire flash IC 1Gbit SPI/QUAD
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TA)
Package/Boîte
8-WDFN avec pad exposé
Série
GD5F
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Organisation de la mémoire
256M x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600µs
Interface mémoire
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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