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Composants électroniques Transistors GS61008P-MR en stock

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Référence fabricant

GS61008P-MR

Marque nom

Original

Description

GS61008P-MR

Point d'origine

China

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Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GS61008P-MR
Marque nom
Original
Description
GS61008P-MR
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
90A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9,5 mOhms à 27 A, 6 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,6 V à 7 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V
Vgs (Max)
+7V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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