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Transistor bipolaire à porte isolée (IGBT) en silicium à canal N GT30F124 TO-220F - Catégorie de produit : Transistors

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À-220F
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Caractéristiques

Référence fabricant

GT30F124

Type

Transistor IGBT, TRANSISTOR IGBT, Canal N

Marque nom

TOS

Type de paquet

Montage en Surface

Description

IGBT à canal N en silicium

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GT30F124
Type
Transistor IGBT, TRANSISTOR IGBT, Canal N
Marque nom
TOS
Type de paquet
Montage en Surface
Description
IGBT à canal N en silicium
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
À-220F
Température de fonctionnement
STANDARD
Série
IGBT
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
Amplificateur
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée
NJW 0302 NJW 0281
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
FET Type
STANDARD
Type de montage
Montage en Surface
Service
Service de nomenclature
Délai de livraison
Stock
Numéro de pièce
GT 30F124

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
2X1X0.5 cm
unique poids brut
0.003 kg

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Options de personnalisation

Logo personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
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