Composants électroniques de circuit mémoire HM1-6514S-9 18 CDIP, originaux
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Attributs
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vracType de conditionnement
MémoireApplication
Composants de circuits électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1K à 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:170 nanosecondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1K à 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
170 nanosecondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
28 - 3 027 pièce
4,72 €
>= 3 028 pièce
2,36 €
Options
SélectionnerSpécification
HM1 6514S9
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