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Transistor IGBT haute puissance HT 75N65KDF KGF75N65KDF FQP75n65 TO-247 75A 650V 75N65 KGF75N65KDF-U/H

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KGF75N65KDF

Type

Transistor IGBT

Marque nom

KEC

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IGBT 75A650V TO247

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
KGF75N65KDF
Type
Transistor IGBT
Marque nom
KEC
Type de paquet
À travers le trou
Description
IGBT 75A650V TO247
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247
Code date de fabrication
2610
Application
Amplificateur
Type de Fournisseur
Fabricant original
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
650V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 15A, 15A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 15A, 15V
Résistance-socle (R1)
1kΩ
Résistance-socle émetteur (R2)
100Ω
FET Caractéristique
Non applicable
Courant nominal (ampères)
75A
Tension Nominale
650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15A, 15A
Type de montage
À travers le trou
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Package
Reel
Service
Bom List
Product Name
Transistor IC Electronic Component

Emballage et livraison

vente Unités
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10X10X5 cm
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