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Transistors IGBT HT haute puissance SGT40N60FD2P7 40N60NPFDPN 40N60 40N60FD2 40N60FD 40A600V en stock 40N60FD2

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Référence fabricant

SGT40N60FD2P7

Type

IGBT Transistor

Marque nom

SL

Type de paquet

TO-247

Description

IGBT

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SGT40N60FD2P7
Type
IGBT Transistor
Marque nom
SL
Type de paquet
TO-247
Description
IGBT
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-3P
Code date de fabrication
2026
Application
Industrial
Type de Fournisseur
Original Manufacturer
Médias Disponibles
Datasheet
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
0
Résistance-socle (R1)
Right
Résistance-socle émetteur (R2)
Right
FET Caractéristique
Not ApplicableRight
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Right
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Right
Vgs (th) (Max) @ Id
Right
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Right
Fréquence
Right
Courant nominal (ampères)
40A
Facteur de bruit
Right
Alimentation-Sortie
Right
Tension Nominale
600V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Right
Vgs (Max)
Right
Type IGBT
SGT40N60FD2P7
Configuration
Single
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Right
Entrée
Pass
Thermistance NTC
Pass
Tension-panne (V (BR) GSS)
Pass
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Pass
Vidange de courant (Id)-Max
40A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Pass
Résistance-RDS (On)
Pass
Tension-Sortie
Pass
Tension-décalage (Vt)
Pass
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Pass
Courant-vallée (Iv)
Pass
Courant-Crête
Pass
Type de montage
Through Hole

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X5 cm
unique poids brut
0.89 kg

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