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Transistor MOSFET de haute qualité HT Original, fournisseur IGBT IRG4BC30UDPBF

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0,5309 €
Quantité minimale : 1 pièce

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Référence fabricant

IRG4BC30UDPBF

Type

Transistor IGBT

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Original

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Référence fabricant
IRG4BC30UDPBF
Type
Transistor IGBT
Marque nom
Original
Type de paquet
Standard
Description
Electronic Component
Point d'origine
Original
Package/Boîte
Standard
Code date de fabrication
Standard
Application
Standard
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Résistance-socle (R1)
Standard
Résistance-socle émetteur (R2)
Standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Fréquence
Standard
Courant nominal (ampères)
Standard
Facteur de bruit
Standard
Alimentation-Sortie
Standard
Tension Nominale
Standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Standard
Vgs (Max)
Standard
Type IGBT
Standard
Configuration
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Standard
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
Standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Vidange de courant (Id)-Max
Standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Standard
Résistance-RDS (On)
Standard
Tension-Sortie
Standard
Tension-décalage (Vt)
Standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Standard
Courant-vallée (Iv)
Standard
Courant-Crête
Standard
Type de montage
Standard

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
0.89 kg

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