Hongte Technology Limited

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Nouveau MOSFET de puissance à canal N HT Original Infineon IPW60R037P7XKSA1 TO-247-3 650V 48A

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5,83 €

Quantité minimale : 100 pièce

*Les taxes et les frais d'importation seront calculés lors du paiement

Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

IPW60R037P7XKSA1

Type

MOSFET

Marque nom

Infineon

Type de paquet

Tube

Description

IPW60R037P7XKSA1 est un MOSFET de puissance à canal N original de la série CoolMOS P7 d'Infineon, en boîtier TO-247-3.Doté d'une tension drain-source de 650 V, d'un courant de drain continu de 48 A et d'une faible résistance Rds(on) de 37 mΩ, il est conçu pour la commutation à haut rendement et les alimentations haute tension.

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant

IPW60R037P7XKSA1

Type

MOSFET

Marque nom

Infineon

Type de paquet

Tube

Description

IPW60R037P7XKSA1 est un MOSFET de puissance à canal N original de la série CoolMOS P7 d'Infineon, en boîtier TO-247-3.Doté d'une tension drain-source de 650 V, d'un courant de drain continu de 48 A et d'une faible résistance Rds(on) de 37 mΩ, il est conçu pour la commutation à haut rendement et les alimentations haute tension.

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ +150°C

Série

Série CoolMOS P7

Code date de fabrication

Dernier lot

Application

Commutation haute tension

Type de Fournisseur

Fabricant original

Médias Disponibles

Fiche technique PDF

Puissance Max

255W

FET Type

Canal N

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

650V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

48A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

37 mΩ @ 10 V

Vgs (th) (Max) @ Id

3,5 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

121nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5.243nF

Courant nominal (ampères)

48A

Alimentation-Sortie

255W

Tension Nominale

650V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

10V

Vgs (Max)

±20V

Configuration

SIMPLE

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

1uA @ 650V

Vidange de courant (Id)-Max

48A

Résistance-RDS (On)

37 mΩ

Transistor Type

MOSFET

Type de montage

Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

8X8X2 cm

unique poids brut

0.03 kg

Délai de préparation de la commande

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