Hongte Technology Limited

HK1 an

≤2h

Temps de réponse

≥100%

Taux de livraison dans les délais

Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Indonésie, Maurice, Royaume-Uni, Australie

Vérification des fournisseursGénérer un rapport

Diode Schottky en carbure de silicium SiC à cathode commune HT Original New Tokmas CI30S65D3 TO-247-3 650V 30A

Aucun avis pour l'instant

1,09 €

Quantité minimale : 100 pièce

Spécification

Personnalisation

BOM+0,91 €/pièce (Quantité min. : 1 pièce)

Caractéristiques

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Référence fabricant

CI30S65D3

Marque nom

Tokmas

Description

CI30S65D3 est une diode Schottky à barrière en carbure de silicium (SiC) à cathode commune Tokmas 650V 30A d'origine, en boîtier TO-247-3.Doté d'une faible chute de tension directe, d'un courant de récupération inverse nul et d'une efficacité thermique élevée, il est idéal pour les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les alimentations à découpage haute fréquence.

Type

Diode en carbure de silicium

Point d'origine

China

Shipping

Select shipping

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Référence fabricant

CI30S65D3

Marque nom

Tokmas

Description

CI30S65D3 est une diode Schottky à barrière en carbure de silicium (SiC) à cathode commune Tokmas 650V 30A d'origine, en boîtier TO-247-3.Doté d'une faible chute de tension directe, d'un courant de récupération inverse nul et d'une efficacité thermique élevée, il est idéal pour les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les alimentations à découpage haute fréquence.

Type

Diode en carbure de silicium

Point d'origine

China

Type de paquet

À travers le trou

Boîtier / Paquet

TO-247-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ +175°C

Série

Série de diodes SiC

Code date de fabrication

Dernier lot

Application

Chargeur de VE, Onduleur solaire, PFC

Type de Fournisseur

Fabricant original

Tension vers l'avant maximale

1,8 V

Tension inverse maximale

650V

Courant vers l'avant maximal

30A

Courant renversé maximal

20uA

Diode Type

Schottky en carbure de silicium (SiC)

Technologie

Carbure de silicium (SiC)

Tension inverse de pointe (max.)

650V

Courant-moyenne rectifiée (Io)

30A

Tension-avant (Vf) (Max) @ If

1,8 V à 15 A

Courant-fuite inverse @ Vr

20uA à 650V

Diode Configuration

1 paire de cathode commune

Tension-inversion cc (Vr) (Max)

650V

Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode)

15A

Temps de récupération inverse (trr)

0ns (Pas de récupération inverse)

Courant - Max

30A

Configuration

Cathode commune

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

BOM(+ à partir de +0,91 €/pièce/Commande minimale : 1 pièce)

Afficher les détails

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte

Avertissement/Disclaimer

California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus

Ce produit a acquis la (les) qualification(s) de produit/licence (s) pertinente (s) de certains pays applicables.Voir plus