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Fournisseur de transistors MOSFET de haute qualité HT SGT60N60FD1 SGT60N60FD1PN 60A600V TO-3P IGBT

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Référence fabricant

SGT60N60FD1

Type

Transistor IGBT

Marque nom

SILAN

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Description

60A600V

Point d'origine

Andorra

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SGT60N60FD1
Type
Transistor IGBT
Marque nom
SILAN
Type de paquet
À travers le trou
Description
60A600V
Point d'origine
Andorra
Package/Boîte
TO-3P
Application
Industrial Control
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
650V
FET Caractéristique
Non applicable
Courant nominal (ampères)
40A
Tension Nominale
650V
Type IGBT
Trench FS II
Configuration
SIMPLE
Vidange de courant (Id)-Max
40A
Type de montage
À travers le trou
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Package
Reel
Service
Bom List
Product Name
Transistor IC Electronic Component

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X5 cm
unique poids brut
0.89 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Ce produit a acquis la (les) qualification(s) de produit/licence (s) pertinente (s) de certains pays applicables.