Hentet Transistor MOSFET N-canal haute performance, nouveau modèle PNP MOSFET IGBT STW20N65M5 710 V 168 mOhm à montage sur bride
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Attributs
Transistor IGBTType
TraversantsType de paquet
À travers le trouType de Support
StandardFET Caractéristique
NormeConfiguration
Fiche techniqueMédias Disponibles
Numéro de Type:STW20N65M5
Marque nom:HENTET
Description:MOSFET de puissance MDmesh V à canal N, 710 V, 168 mOhm, montage à bride - TO-247
Point d'origine:China
Package/Boîte:-
Série:Transistor
Référence croisée:Norme
Collecteur de courant (Ic) (Max):Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Courant-coupure de collecteur (Max):Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Puissance Max:Norme
Fréquence-Transition:Norme
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
FET Type:Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Norme
Tension:Norme
Température de fonctionnement:Norme
Applications:Usage général
Type de montage:À travers le trou
Type de texte:Transistor IGBT
Caractéristiques du produit
Type
Transistor IGBT
Type de paquet
Traversants
Type de Support
À travers le trou
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Norme
Médias Disponibles
Fiche technique
Puissance Max
Norme
Package/Boîte
-
Description
MOSFET de puissance MDmesh V à canal N, 710 V, 168 mOhm, montage à bride - TO-247
Numéro de Type
STW20N65M5
Marque nom
HENTET
Point d'origine
China
Série
Transistor
Référence croisée
Norme
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Type
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Transistor Type
Norme
Tension
Norme
Température de fonctionnement
Norme
Applications
Usage général
Type de montage
À travers le trou
Type de texte
Transistor IGBT
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vente Unités
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24X14X4 cm
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Personnalisable
10 - 99 pièce
1,67 €
100 - 499 pièce
1,58 €
500 - 999 pièce
1,50 €
>= 1 000 pièce
1,33 €
Quantité
Personnalisation
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