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Hentet Transistor MOSFET N-canal haute performance, nouveau modèle PNP MOSFET IGBT STW20N65M5 710 V 168 mOhm à montage sur bride

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1,72 €
10-99 pièce
1,63 €
100-499 pièce
1,54 €
500-999 pièce
1,36 €
≥1 000 pièce

Quantité

Personnalisation
Emballage personnalisé+0,09 €/pièce (Quantité min. : 10 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

STW20N65M5

Type

Transistor IGBT

Marque nom

HENTET

Type de paquet

Traversants

Description

N-Channel 710 V 168 mOhn Flange Mount MDmesh V Power Mosfet - TO-247

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STW20N65M5
Type
Transistor IGBT
Marque nom
HENTET
Type de paquet
Traversants
Description
N-Channel 710 V 168 mOhn Flange Mount MDmesh V Power Mosfet - TO-247
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
Série
Transistor
Référence croisée
Standard
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Standard
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
Standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Puissance Max
Standard
Fréquence-Transition
Standard
Résistance-socle (R1)
Standard
Résistance-socle émetteur (R2)
Standard
FET Type
Standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Fréquence
Standard
Facteur de bruit
Standard
Alimentation-Sortie
Standard
Tension Nominale
Standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Standard
Vgs (Max)
Standard
Type IGBT
Standard
Configuration
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Standard
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
Standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Vidange de courant (Id)-Max
Standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Standard
Résistance-RDS (On)
Standard
Tension-Sortie
Standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Standard
Courant-vallée (Iv)
Standard
Courant-Crête
Standard
Transistor Type
Standard
Voltage
Standard
Operating Temperature
Standard
Applications
General purpose
Mounting Type
Through Hole
Type
IGBT Transistor

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
24X14X4 cm
unique poids brut
0.005 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Emballage personnalisé(+ à partir de +0,09 €/pièce/Commande minimale : 10 000 pièces)
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