Nouveau transistor MOSFET IGBT PNP de puissance moyenne Hentet, modèle B772, type de montage SMD TO-252, 4056 IC, 8205 IC, chargeur IC
Note de la boutique :4.9
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Attributs
Transistor IGBTType
TraversantsType de paquet
À travers le trouType de Support
StandardFET Caractéristique
StandardConfiguration
Fiche techniqueMédias Disponibles
Numéro de Type:B772
Marque nom:HENTET
Description:MOSFET IGBT Transistor B772
Point d'origine:China
Package/Boîte:-
Série:Transistor
Référence croisée:Standard
Collecteur de courant (Ic) (Max):Standard
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Standard
Courant-coupure de collecteur (Max):Standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Standard
Puissance Max:Standard
Fréquence-Transition:Standard
Résistance-socle (R1):Standard
Résistance-socle émetteur (R2):Standard
FET Type:Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Standard
Vgs (th) (Max) @ Id:Standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Standard
Fréquence:Standard
Facteur de bruit:Standard
Alimentation-Sortie:Standard
Tension Nominale:Standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Standard
Vgs (Max):Standard
Type IGBT:Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Standard
Entrée:Standard
Thermistance NTC:Standard
Tension-panne (V (BR) GSS):Standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Standard
Vidange de courant (Id)-Max:Standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Standard
Résistance-RDS (On):Standard
Tension-Sortie:Standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Standard
Courant-vallée (Iv):Standard
Courant-Crête:Standard
Transistor Type:Standard
Voltage:Standard
Operating Temperature:Standard
Applications:General purpose
Mounting Type:Through Hole
Caractéristiques du produit
Type
Transistor IGBT
Type de paquet
Traversants
Type de Support
À travers le trou
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Standard
Médias Disponibles
Fiche technique
Puissance Max
Standard
Package/Boîte
-
Description
MOSFET IGBT Transistor B772
Alimentation-Sortie
Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Standard
Courant-Crête
Standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
Standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Standard
Courant-vallée (Iv)
Standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Entrée
Standard
FET Type
Standard
Facteur de bruit
Standard
Fréquence
Standard
Fréquence-Transition
Standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Marque nom
HENTET
Numéro de Type
B772
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Standard
Point d'origine
China
Référence croisée
Standard
Résistance-RDS (On)
Standard
Résistance-socle (R1)
Standard
Résistance-socle émetteur (R2)
Standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Standard
Série
Transistor
Tension Nominale
Standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Standard
Tension-Sortie
Standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
Standard
Thermistance NTC
Standard
Transistor Type
Standard
Type IGBT
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Vgs (Max)
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Vidange de courant (Id)-Max
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Standard
Voltage
Standard
Operating Temperature
Standard
Applications
General purpose
Mounting Type
Through Hole
Type
IGBT Transistor
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
24X14X4 cm
poids brut par lot
0.005 kg
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Emballage personnalisé(+ à partir de +0,0876 €/pièce/Commande minimale : 10 000 pièces)
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Personnalisable
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10 - 99 pièce
0,1138 €
100 - 499 pièce
0,1051 €
500 - 999 pièce
0,0963 €
>= 1 000 pièce
0,0788 €
Quantité
Personnalisation
Emballage personnalisé+0,0876 €/pièce (Quantité min. : 10 000 pièces)
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