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Mémoire Flash SD NAND Haute Performance 256 Mo 2 Go 2,7 V~3,6 V 133 MHz LGA6*8

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50-249 pièce
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Caractéristiques

Marque nom

XQW

Référence fabricant

XQW

Type

Éclair

Type de montage

montage en surface

Débit de données

133 MHz

Taille de La mémoire

2 Go

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Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NI
Type de mémoire
Non volatile
Interface de mémoire
D'origine
Organisation de la mémoire
64 Mo x 8
Type de montage
montage en surface
Type
Éclair
Type d'expansion
D'origine
Référence fabricant
XQW
Marque nom
XQW
Débit de données
133 MHz
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
Guangdong, China
Description
Mémoire Flash SD NAND 256 Mo de marque propre, 2 Go, 2,7 V ~ 3,6 V, 133 MHz, LGA6*8, haute performance
Type de conditionnement
Bande et bobine (BB), Bande coupée (BC)
Fonction
norme 2, norme 2
Application
Mémoire
Température de fonctionnement
-25~85℃
Package/Boîte
LGA 6*8
Série
SD NAND
Caractéristiques
Composants électroniques
Référence croisée
Norme d'origine
Chimie de la batterie
norme 6
Courant-approvisionnement (Max)
D'origine
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Bus directionnel
D'origine
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
0.3X0.3X0.1 cm
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