Mémoire Flash SD NAND Haute Performance 256 Mo 2 Go 2,7 V~3,6 V 133 MHz LGA6*8
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Attributs
XQWMarque nom
XQWNuméro de Type
ÉclairType
montage en surfaceType de montage
133 MHzDébit de données
2 GoTaille de La mémoire
Point d'origine:Guangdong, China
Description:Mémoire Flash SD NAND 256 Mo de marque propre, 2 Go, 2,7 V ~ 3,6 V, 133 MHz, LGA6*8, haute performance
Type de conditionnement:Bande et bobine (BB), Bande coupée (BC)
Fonction:norme 2, norme 2
Application:Mémoire
Température de fonctionnement:-25~85℃
Package/Boîte:LGA 6*8
Série:SD NAND
Caractéristiques:Composants électroniques
Référence croisée:Norme d'origine
Chimie de la batterie:norme 6
Type de mémoire:Non volatile
Interface de mémoire:D'origine
Courant-approvisionnement (Max):D'origine
Technologie:FLASH - NI
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Type d'expansion:D'origine
Bus directionnel:D'origine
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:64 Mo x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Caractéristiques du produit
Marque nom
XQW
Numéro de Type
XQW
Type
Éclair
Type de montage
montage en surface
Débit de données
133 MHz
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
Guangdong, China
Description
Mémoire Flash SD NAND 256 Mo de marque propre, 2 Go, 2,7 V ~ 3,6 V, 133 MHz, LGA6*8, haute performance
Type de conditionnement
Bande et bobine (BB), Bande coupée (BC)
Fonction
norme 2, norme 2
Application
Mémoire
Température de fonctionnement
-25~85℃
Package/Boîte
LGA 6*8
Série
SD NAND
Caractéristiques
Composants électroniques
Référence croisée
Norme d'origine
Chimie de la batterie
norme 6
Type de mémoire
Non volatile
Interface de mémoire
D'origine
Courant-approvisionnement (Max)
D'origine
Technologie
FLASH - NI
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type d'expansion
D'origine
Bus directionnel
D'origine
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
64 Mo x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
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vente Unités
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