All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier
4.8/5(5)
Note de la boutique
≤1h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
11%
Taux de réachat

Marchés principaux: Inde, Canada, États-Unis d'Amérique, Bahreïn, Suède

Composants électroniques de circuits intégrés de haute qualité, transistors, puces IC, SI7149ADP-T1-GE3 23A 30V P CHANNEL MOSFET

Aucun avis pour l'instant
0,2663 €
1-99 pièce
0,2485 €
100-999 pièce
0,2308 €
≥1 000 pièce

Specification

PDFN-8
Personnalisation
Logo personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)
Emballage personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)
Personnalisation graphique (Quantité min. : 10 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

SI7149ADP

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

MOSFET canal P SI7149ADP 23A 30V

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Retour facile

Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Finance Service

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Type
MOSFET
Application
transistor
Type de paquet
Montage en Surface
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Norme
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
Norme
Package/Boîte
PDFN-8
Description
MOSFET canal P SI7149ADP 23A 30V
Référence fabricant
SI7149ADP
Marque nom
original
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série
transistor
Code date de fabrication
NOUVEAU
Référence croisée
Transistor
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Type
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.004 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

Logo personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Personnalisation graphique(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Afficher les détails

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs