Composants électroniques de circuits intégrés de haute qualité, transistors, puces IC, SI7149ADP-T1-GE3 23A 30V P CHANNEL MOSFET
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Attributs
MOSFETType
transistorApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en surface, standardType de Support
StandardFET Caractéristique
NormeConfiguration
Numéro de Type:SI7149ADP
Marque nom:original
Description:MOSFET canal P SI7149ADP 23A 30V
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:PDFN-8
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série:transistor
d/c:NOUVEAU
Type de Fournisseur:Fabricant original
Référence croisée:Transistor
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Courant-coupure de collecteur (Max):Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Puissance Max:Norme
Fréquence-Transition:Norme
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
FET Type:Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Type de montage:Montage en Surface
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
transistor
Type de paquet
Montage en Surface
Type de Support
Montage en surface, standard
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Norme
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
Norme
Package/Boîte
PDFN-8
Description
MOSFET canal P SI7149ADP 23A 30V
Numéro de Type
SI7149ADP
Marque nom
original
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série
transistor
d/c
NOUVEAU
Référence croisée
Transistor
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Type
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Type de montage
Montage en Surface
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vente Unités
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seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.004 kg
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Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
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Personnalisable
1 - 99 pièce
0,2616 €
100 - 999 pièce
0,2442 €
>= 1 000 pièce
0,2268 €
Options
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PDFN-8
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