Attributs
NormalPorosité (%)
9~12 Micro Ohm.mRésistance (μΩ.m)
Henan, ChinaPoint d'origine
DT#GR-033Numéro de Type
DONGTANMarque nom
Production of PolysiliconApplication
Densité de la Masse (g/cm³ ):1.83-1.85g/cm3
Résistance à la Pression:≥60(MPa)
Technique:Sintop
Product name:Graphite Molds of Polysilicon for Photovoltaic
Material:High Pure Graphite Materials
Specifications:Customized
Bulk Density:1.83-1.85 (g/cm3)
Ash Content:≤50 (ppm)
C Content:99.9%
Shore Hardness:≥40(MPa)
Electrical Resistvity:≤12 (μ.Ω.m)
Flexural Strength:≥45(MPa)
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:5X5X3 cm
unique poids brut:0.500 kg
