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Transistor MOS de haute qualité 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET C3M0065100K

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12,08-20,09 €
Quantité minimale : 5 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

C3M0065100K

Type

MOSFET,Field-Effect Transistor

Marque nom

original brand

Type de paquet

Throught Hole

Description

transistor, 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Point d'origine

Guangdong,China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
C3M0065100K
Type
MOSFET,Field-Effect Transistor
Marque nom
original brand
Type de paquet
Throught Hole
Description
transistor, 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Point d'origine
Guangdong,China
Package/Boîte
TO-220-3
Température de fonctionnement
-
Série
C3M0065100K
Code date de fabrication
2505
Application
-
Type de Fournisseur
Agence, ODM, Fabricant original
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Photo, Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-, N-Channel
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-,3.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
MOSFET transistor
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
--
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
MOSFET transistor
Type de montage
À travers le trou
Part Number
C3M0065100K
Drain to Source Voltage
1000V (1kV)
Current @ 25°C
35A (Tc)
Gate Charge @ Vgs
35nC @ 15V
Input Capacitance @ Vds
3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max)
113.5W (Tc)

Emballage et livraison

vente Unités
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