find similar
≤1h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais

Transistor IGBT de puissance à commutation de haute qualité 40N60UFD TO-3P 650V 40A FGA40N65SMD

Aucun avis pour l'instant
0,297 €
Quantité minimale : 10 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

FGA40N65SMD

Type

Transistor IGBT, IGBT haute tension, MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

À travers le trou

Description

IGBT canal N, Transistor

Point d'origine

Guangdong, China

Shipping
Select shipping
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FGA40N65SMD
Type
Transistor IGBT, IGBT haute tension, MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
À travers le trou
Description
IGBT canal N, Transistor
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-3P
Température de fonctionnement
-55°C ~ +175°C
Série
standard
Code date de fabrication
Plus récent
Application
Alimentation d'énergie
Type de Fournisseur
Agence
Puissance Max
349W
Transistor Type
IGBT
Type de montage
À travers le trou
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Emballage
Emballages d'origine
État
100% d'origine
Service
Service BOM tout-en-un
Qualité
100 % d'origine, 100 % de marque
DÉLAI DE LIVRAISON
1-3 jours ouvrables

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.0 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs