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MOSFET N-canal haute vitesse basse tension 80V TK100E08N1 pour applications d'amplificateur, boîtier TO-220, dissipation de puissance maximale 255W

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Caractéristiques

Référence fabricant

TK100E08N1

Type

Transistors

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/

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À travers le trou

Description

MOSFET à canal N 80V, MOSFETs

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK100E08N1
Type
Transistors
Marque nom
/
Type de paquet
À travers le trou
Description
MOSFET à canal N 80V, MOSFETs
Point d'origine
China
Package/Boîte
À-220
Température de fonctionnement
150°C (TJ.)
Série
STANDARD
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
Amplificateur
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM
Référence croisée
/
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
FET Type
STANDARD
Type de montage
Montage en Surface
Type de produit
MOSFETs
Mode de fonctionnement
MODE AMÉLIORATION
Série
TK100E08N
Polarité des transistors
Canal N
Catégorie de produit
MOSFETs
Dissipation de puissance - Max
255 W

Emballage et livraison

vente Unités
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