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Transistor de puissance IGBT à commutation rapide haute vitesse RJP6065 RJP6065DPM TO-3PFM 630V 40A

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Caractéristiques

Référence fabricant

RJP6065DPM-00#T1

Type

Transistor IGBT, IGBT haute vitesse, MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

À travers le trou

Description

IGBT haute vitesse, Transistor

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJP6065DPM-00#T1
Type
Transistor IGBT, IGBT haute vitesse, MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
À travers le trou
Description
IGBT haute vitesse, Transistor
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-3PFM
Température de fonctionnement
-55℃~+150℃
Série
IGBT
Code date de fabrication
Plus récent
Type de Fournisseur
Agence
Transistor Type
IGBT
Type de montage
À travers le trou
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Emballage
Emballages d'origine
État
100% d'origine
Service
Service BOM tout-en-un
Qualité
100 % d'origine, 100 % de marque
DÉLAI DE LIVRAISON
1-3 jours ouvrables

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.0 kg

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs