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Circuit intégré DRAM Mémoire 16 Go (1Gx16) Parallèle 1,5 GHz 19 ns SMD 96-FBGA MT40A1G16TB-062E:F

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6,30 €
Quantité minimale : 2 000 pièce
Code de date de fabrication
Personnalisation
En aux (Quantité min. : 100 pièces)
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Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT40A1G16TB 062E F

Type

Circuit intégré de mémoire DDR4

Type de montage

Montage en surface

Débit de données

Original

Taille de La mémoire

16Gb 1G x 16

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Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT40A1G16TB 062E F
Type
Circuit intégré de mémoire DDR4
Type de montage
Montage en surface
Débit de données
Original
Taille de La mémoire
16Gb 1G x 16
Point d'origine
United States
Description
3 à 5 jours
Type de conditionnement
Circuit intégré de mémoire DDR4
Fonction
circuit intégré de mémoire
Application
circuit intégré de mémoire
Température de fonctionnement
Montage en surface
Package/Boîte
Original
Série
16Gb 1G x 16
Caractéristiques
Shenzhen
Référence croisée
Parallèle
Chimie de la batterie
DRAM
Type de mémoire
Volatil
Interface de mémoire
Parallèle
Courant-approvisionnement (Max)
1.14V 1.26V
Technologie
DRAM
Tension D'alimentation
1.14V 1.26V
Type d'expansion
Circuit intégré de mémoire DDR4
Bus directionnel
circuit intégré de mémoire
Fréquence de l'horloge
1,5 GHz

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
5X5X5 cm
unique poids brut
0.2 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

En aux(+ à partir de /Commande minimale : 100 pièces)
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