ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs 2N7002DW
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Attributs
MOSFETsType
NormeType de paquet
À travers le trouType de Support
À-220-3Package/Boîte
TransistorDescription
2N7002DWNuméro de Type
Marque nom:Original
Point d'origine:Original
FET Type:Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss):55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:110A (TC)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:8 mOhms à 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10 V
Vgs (Max):±20 V
Caractéristiques du produit
Type
MOSFETs
Type de paquet
Norme
Type de Support
À travers le trou
Package/Boîte
À-220-3
Description
Transistor
Numéro de Type
2N7002DW
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (TC)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8 mOhms à 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10 V
Vgs (Max)
±20 V
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.000 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
Quantité minimale : 10 pièce
0,4427 €
*Les taxes et les frais d'importation seront calculés lors du paiement
Quantité
Expédition
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À négocier
Sous-total
0,00 €
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