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ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs MMBFJ177LT1G

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Attributs

MOSFETType
StandardType de paquet
À travers le trouType de Support
TO-220-3Package/Boîte
TransistorDescription
MMBFJ177LT1GNuméro de Type
Marque nom:Original
Point d'origine:Original
FET Type:N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss):55V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:110A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:8mOhm @ 62A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:146nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF @ 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10V
Vgs (Max):±20V

Caractéristiques du produit

Type
MOSFET
Type de paquet
Standard
Type de Support
À travers le trou
Package/Boîte
TO-220-3
Description
Transistor
Numéro de Type
MMBFJ177LT1G
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.000 kg

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