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ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs FGH60N60SMD

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Attributs

FGH60N60SMDNuméro de Type
MOSFETsType
OriginalMarque nom
NormeType de paquet
TransistorDescription
OriginalPoint d'origine
Package/Boîte:À-220-3
Type de Support:À travers le trou
FET Type:Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss):55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:110A (TC)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:8 mOhms à 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10 V
Vgs (Max):±20 V

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
FGH60N60SMD
Type
MOSFETs
Marque nom
Original
Type de paquet
Norme
Description
Transistor
Point d'origine
Original
Package/Boîte
À-220-3
Type de Support
À travers le trou
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (TC)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8 mOhms à 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10 V
Vgs (Max)
±20 V

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.000 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Quantité minimale : 10 pièce
0,4422 €

Quantité

Expédition

Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

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