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ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
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ICMICRO En stock Nouveau Transistor MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs ULN2003A

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ULN2003A

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MOSFET

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
ULN2003A
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Standard
Description
Transistor
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-220-3
Application
PCB Design/Fabricatior
Type de Fournisseur
Other
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8 mΩ @ 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3247 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10 V
Vgs (Max)
±20 V
Type de montage
Standard
Mounting Type
Through Hole

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.0 kg

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