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ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
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ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs DN2540N8-G

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DN2540N8-G

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MOSFETs

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DN2540N8-G
Type
MOSFETs
Marque nom
Original
Type de paquet
Norme
Description
Transistor
Point d'origine
Original
Package/Boîte
À-243AA
FET Type
Canal N
FET Caractéristique
L'épuisement Mode
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
400 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
170 mA (jusqu'à)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
25Ohms à 120mA, 0V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
0V
Vgs (Max)
±20 V

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.000 kg

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