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ICMICRO En stock Nouveaux transistors MOSFET IGBT d'origine Fournisseurs IRFP90N20DPBF

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFP90N20DPBF
Type
MOSFETs
Marque nom
Original
Type de paquet
Norme
Description
Transistor
Point d'origine
Original
Package/Boîte
À-220-3
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (TC)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8 mOhms à 62 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
146nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10 V
Vgs (Max)
±20 V

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10X10X10 cm
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