Transistor IGBT discret 650V 50A IGBT avec boîtier TO-247 Type de tranchée/arrêt de champ pour chargeur embarqué et station de charge
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Attributs
TransistorType
UPS inverter and Charging stationApplication
Through HoleType de paquet
À travers le trouType de Support
SIMPLEConfiguration
Fiche technique, PhotoMédias Disponibles
Numéro de Type:AKG50T65RH
Marque nom:AIKO
Description:650V Trench /Field Stop type, Low switching losses, Vcesat has a positive temperature coefficient
Point d'origine:Zhejiang, China
Package/Boîte:TO-247
Température de fonctionnement:-40℃~+150℃ (TJ)
Série:IGBT
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM
Collecteur de courant (Ic) (Max):IC nom =50A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):650V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:2.1V
Vgs (th) (Max) @ Id:5.8V
Courant nominal (ampères):50A
Tension Nominale:650V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):4.2V-5.8V
Type IGBT:FieldStop Trench
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:5.46nF
Vidange de courant (Id)-Max:80A
Tension-Sortie:650V
Tension-décalage (Vt):±20V
Courant-vallée (Iv):50A
Courant-Crête:200A
Transistor Type:IGBT transistor
Type de montage:through holes
VCES:650V
IC nom @TC=100C, Tvj max=175C:50A
Pulsed collector current:200A
Power dissipation:295W
Diode Continuous Forward Current:NONE
Input capacitance:5.46nF
VCE(sat):1.58V (typ.) IC=50A
Turn-on energy loss:2.37mJ
Turn-off energy loss:0.6mJ
Temperature under switching conditions:-40-175C
Aiko Electronics Technology Co., Ltd.
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Caractéristiques du produit
Type
Transistor
Application
UPS inverter and Charging station
Type de paquet
Through Hole
Type de Support
À travers le trou
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM
Package/Boîte
TO-247
Description
650V Trench /Field Stop type, Low switching losses, Vcesat has a positive temperature coefficient
Numéro de Type
AKG50T65RH
Marque nom
AIKO
Point d'origine
Zhejiang, China
Température de fonctionnement
-40℃~+150℃ (TJ)
Série
IGBT
Collecteur de courant (Ic) (Max)
IC nom =50A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
650V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
2.1V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.8V
Courant nominal (ampères)
50A
Tension Nominale
650V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4.2V-5.8V
Type IGBT
FieldStop Trench
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
5.46nF
Vidange de courant (Id)-Max
80A
Tension-Sortie
650V
Tension-décalage (Vt)
±20V
Courant-vallée (Iv)
50A
Courant-Crête
200A
Transistor Type
IGBT transistor
Type de montage
through holes
VCES
650V
IC nom @TC=100C, Tvj max=175C
50A
Pulsed collector current
200A
Power dissipation
295W
Diode Continuous Forward Current
NONE
Input capacitance
5.46nF
VCE(sat)
1.58V (typ.) IC=50A
Turn-on energy loss
2.37mJ
Turn-off energy loss
0.6mJ
Temperature under switching conditions
-40-175C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
23X17X7 cm
unique poids brut
0.500 kg
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AKG50T65RH IGBT TRANSISTOR 650V 50A
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