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Transistor à effet de champ composite IGBT haute puissance IGF40T120F

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0,9623 €
Quantité minimale : 5 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

IGW40T120FKSA1

Type

MOSFET

Marque nom

Original Brand(Confirm with us)

Description

TRANSISTOR, Transistors

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

TO-247/TO-220/TO-264/TO-263/TO-252..

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IGW40T120FKSA1
Type
MOSFET
Marque nom
Original Brand(Confirm with us)
Description
TRANSISTOR, Transistors
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-247/TO-220/TO-264/TO-263/TO-252..
Code date de fabrication
Dans les 3 ans
Application
But général
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée
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Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Type de montage
DIP/SMD
Échantillon
Disponible
Code de date
Dans les 3 ans
Délai de livraison
3-5 jours
Garantie
2 ans
Sans plomb/ROHS
Oui
Fiche technique
Disponible
Expédition
Air/Mer/Route
Paiement
T/T, MoneyGram, PayPal, Western Union, espèces, Escrow
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