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Transistors MOSFETs discrets Infin Eon Technologies IMCQ120R026M2HXTMA1 Cool SiC, 1200 V, G2, refroidissement par le haut, boîtier Q-DPAK, semi-conducteurs
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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
1 an
SG
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Attributs
ORIGINAL
Point d'origine
Infin eon Technologies
Marque nom
IMCQ120R026M2HXTMA1
Numéro de Type
SiC MOSFETS
Type
SiC MOSFETS
Type de montage
vente Unités:
Article unique
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Photos
Attributs
Caractéristiques du produit
Point d'origine
ORIGINAL
Marque nom
Infin eon Technologies
Numéro de Type
IMCQ120R026M2HXTMA1
Type
SiC MOSFETS
Type de montage
SiC MOSFETS
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
Délai de préparation de la commande
Quantité (pièce)
1 - 446
> 446
Durée estimée (jours)
1
À négocier
Description des produits par le fournisseur
1 - 9 pièce
16,37 €
10 - 99 pièce
12,38 €
100 - 499 pièce
10,70 €
>= 500 pièce
10,14 €
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