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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD logo
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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IMZA65R026M2HXKSA1 pour MOS FETs 75V 26 Mohm G2 Transistor IGBT Haute Performance Composants d'Amplificateurs de Puissance Agence

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Spécification

STANDARD

Caractéristiques

Référence fabricant

IMZA65R026M2HXKSA1

Type

Transistor

Marque nom

Infi neon

Type de paquet

À travers le trou

Description

IMZA65R026M2HXKSA

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Type
Transistor
Application
But général
Type de paquet
À travers le trou
Type de montage
STANDARD
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Puissance Max
STANDARD
Package/Boîte
À-247-4
Description
IMZA65R026M2HXKSA
Référence fabricant
IMZA65R026M2HXKSA1
Marque nom
Infi neon
Point d'origine
ORIGINAL
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150 ans°C (TJ.)
Série
650 V G2
Code date de fabrication
Le plus récent
Référence croisée
Transistor
Collecteur de courant (Ic) (Max)
STANDARD
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
STANDARD
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
STANDARD
Courant-coupure de collecteur (Max)
STANDARD
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
STANDARD
Fréquence-Transition
STANDARD
Résistance-socle (R1)
STANDARD
Résistance-socle émetteur (R2)
STANDARD
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
75 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11 mOhms à 40 A 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V à 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF à 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10 V
Vgs (Max)
±20 V
Type de montage
À travers le trou

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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