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Transistors IPB110N06L G PG-TO263-3-2 Acheter des composants électroniques en ligne BOM IC en stock

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IPB110N06L G

Marque nom

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MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-3-2

Température de fonctionnement

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPB110N06L G
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
78A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11 mOhms à 78 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs