All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd. logo
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Shenzhen City, CN5 ansFournisseur polyvalent
4.6/5(342)
Note de la boutique
≤3h
Temps de réponse
≥97%
Taux de livraison dans les délais
11%
Taux de réachat
Personnalisation simple
Personnalisation à partir de modèles

Marchés principaux: Corée du Sud, Italie, États-Unis d'Amérique, Royaume-Uni, Brésil

Transistor MOSFET IPD 30N06 S4L23 canal N 60 V 30 A (Tc) 36 W (Tc) IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA1

Aucun avis pour l'instant
0,0088 €
Quantité minimale : 1 pièce
Sélectionner

Spécification

D30N06S4L23ATMA2
Capacité de personnalisation du fournisseur
Personnalisation simple
Personnalisation à partir de modèles
Personnalisation à partir d’échantillons
Personnalisation complète

Caractéristiques

Référence fabricant

IPD30N06S4L23ATMA2

Type

STANDARD

Marque nom

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

Type de paquet

STANDARD

Description

STANDARD

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Finance Service

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Type
STANDARD
Type de paquet
STANDARD
Type de montage
STANDARD
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
36 W (Tc)
Package/Boîte
STANDARD
Description
STANDARD
Référence fabricant
IPD30N06S4L23ATMA2
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Point d'origine
Guangdong, China
Code date de fabrication
STANDARD
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
23 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 10 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1560 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±16 V
Type de montage
STANDARD

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs