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Transistors IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 PG-WHTFN-9-U02 Acheter en ligne Composants électroniques BOM IC En stock

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Référence fabricant

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFETs de puissance 25 V - 150

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-WHTFN-9-U02

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFETs de puissance 25 V - 150
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-WHTFN-9-U02
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS 5
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
25 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
75A (Ta), 789A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,29 mOhm à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2 V à 1,448 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
17 000 pF à 12 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±16V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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vente Unités
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1X1X1 cm
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