Transistor MOSFET IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm 44.7nC, composant en boîtier TO-220-3
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Attributs
MOSFETType
normeApplication
Tube de métroType de paquet
À travers le trouType de montage
AutreMédias Disponibles
Fabricant originalType de Fournisseur
Puissance Max:150 W
Package/Boîte:À-220-3
Description:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44,7nC
Référence fabricant:IRF640NPBF
Marque nom:Infi neon
Point d'origine:original
Température de fonctionnement:- 55°C-+ 175°C
Série:norme
Code date de fabrication:norme
Référence croisée:norme
Collecteur de courant (Ic) (Max):norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:norme
Courant-coupure de collecteur (Max):norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:norme
Résistance-socle (R1):norme
Résistance-socle émetteur (R2):norme
FET Type:1 canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss):200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:18 A.
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:150 mOhms
Vgs (th) (Max) @ Id:2V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:20 V
Vgs (Max):20 V
Transistor Type:1 canal N
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
norme
Type de paquet
Tube de métro
Type de montage
À travers le trou
Médias Disponibles
Autre
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
150 W
Package/Boîte
À-220-3
Description
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44,7nC
Référence fabricant
IRF640NPBF
Marque nom
Infi neon
Point d'origine
original
Température de fonctionnement
- 55°C-+ 175°C
Série
norme
Code date de fabrication
norme
Référence croisée
norme
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Type
1 canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18 A.
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
150 mOhms
Vgs (th) (Max) @ Id
2V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 V
Vgs (Max)
20 V
Transistor Type
1 canal N
Type de montage
À travers le trou
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vente Unités
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