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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD logo
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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Transistor MOSFET IRF640NPBF 200V 18A 150mOhm 44.7nC, composant en boîtier TO-220-3

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1,33 €
10 - 499 pièce
0,4779 €
500 - 999 pièce
0,4431 €
≥ 1 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF640NPBF

Type

MOSFET

Marque nom

Infi neon

Type de paquet

Tube de métro

Description

MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44,7nC

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Type
MOSFET
Application
norme
Type de paquet
Tube de métro
Type de montage
À travers le trou
Médias Disponibles
Autre
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
150 W
Package/Boîte
À-220-3
Description
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44,7nC
Référence fabricant
IRF640NPBF
Marque nom
Infi neon
Point d'origine
original
Température de fonctionnement
- 55°C-+ 175°C
Série
norme
Code date de fabrication
norme
Référence croisée
norme
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Type
1 canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18 A.
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
150 mOhms
Vgs (th) (Max) @ Id
2V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 V
Vgs (Max)
20 V
Transistor Type
1 canal N
Type de montage
À travers le trou

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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