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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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IRF7341 SOIC-8 Transistors semi-conducteurs discrets à 2 canaux MOSFETs MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A

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1-999 pièce
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IRF7341TRPBF

Type

MOSFET

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original

Type de paquet

Montage en Surface

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MOSFET

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF7341TRPBF
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
Montage en Surface
Description
MOSFET
Point d'origine
original
Package/Boîte
SOIC-8
Température de fonctionnement
-55℃, +150℃
Série
IRF7341
Application
Contrôle de puissance
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
Non applicable
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
MOSFET
Type de montage
À travers le trou
Type d'emballage
Traversant (Through Hole)
Type de montage
Traversant (Through Hole)

Emballage et livraison

vente Unités
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0 cm³
unique poids brut
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