find similar
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD logo
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
SG2 ans
≤2h
Temps de réponse

Transistor IRF7351TRPBF SOIC-8, MOSFET de puissance, MOSFT 60V 8A 17,8mOhm 24nC, double montage en surface, contrôle et commutation de puissance

Aucun avis pour l'instant
2,11 €
1-999 pièce
0,6456 €
≥1 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF7351TRPBF

Type

MOSFET

Type de paquet

Montage en Surface

Description

MOSFET

Point d'origine

Other

Package/Boîte

SOIC-8

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF7351TRPBF
Type
MOSFET
Type de paquet
Montage en Surface
Description
MOSFET
Point d'origine
original
Package/Boîte
SOIC-8
Température de fonctionnement
-55℃, +150℃
Série
IRF7351TRPBF
Code date de fabrication
2026+
Application
Contrôle de puissance
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Caractéristique
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
Non applicable
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
MOSFET
Type de montage
Montage en Surface
Type d'emballage
Traversant (Through Hole)
Type de montage
Traversant (Through Hole)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs