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HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
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IRFB4110PBF TO-220 IRFB4110 MOSFET canal N 100V 180A 4.5mOhm/10V 370W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos

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IRFB4110PBF

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N-channel 100V 180A MOSFET

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Caractéristiques du produit

Type
MOSFET
Type de paquet
Traversants
Type de montage
À travers le trou
Puissance Max
370W
Package/Boîte
TO-220
Description
N-channel 100V 180A MOSFET
Référence fabricant
IRFB4110PBF
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
Température de fonctionnement
-55℃~+175℃
FET Type
N-channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
180A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm/10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
210nC/10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9.62nF

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