Transistor MOSFET de puissance IRFP260N TO-247 canal N 200V 50A pour applications de commutation fourni par l'agence ODM
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HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
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Attributs
MOSFET, transistor bipolaireType
CommutationApplication
À-247Type de paquet
Trou traversantType de Support
StandardFET Caractéristique
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, AutreMédias Disponibles
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Puissance Max:150 W
Package/Boîte:À-247
Description:MOSFET de puissance N-Channel 200V 50A
Numéro de Type:IRFP260N
Marque nom:Original
Point d'origine:Guangdong, China
Température de fonctionnement:-55~150℃
d/c:Le plus récent
Collecteur de courant (Ic) (Max):1,2A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Courant-coupure de collecteur (Max):Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Fréquence-Transition:30 MHz
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Norme
numéro de pièce:PBF IRFP260NP
Service de nomenclature:Veuillez nous contacter !
Prix:Veuillez nous contacter !
Fiche technique:Veuillez nous contacter !
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET, transistor bipolaire
Application
Commutation
Type de paquet
À-247
Type de Support
Trou traversant
FET Caractéristique
Standard
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autre
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Puissance Max
150 W
Package/Boîte
À-247
Description
MOSFET de puissance N-Channel 200V 50A
Alimentation-Sortie
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1,2A
Courant nominal (ampères)
Norme
Courant-Crête
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Entrée
Norme
Facteur de bruit
Norme
Fréquence
Norme
Fréquence-Transition
30 MHz
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Marque nom
Original
Numéro de Type
IRFP260N
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Norme
Point d'origine
Guangdong, China
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Température de fonctionnement
-55~150℃
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Thermistance NTC
Norme
Transistor Type
Norme
Type IGBT
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Vgs (Max)
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
d/c
Le plus récent
numéro de pièce
PBF IRFP260NP
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Prix
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Température de fonctionnement
Norme
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Avertissement/Disclaimer
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Personnalisable
1 - 99 pièce
0,5076 €
100 - 499 pièce
0,4989 €
500 - 9 999 pièce
0,4901 €
>= 10 000 pièce
0,4814 €
Quantité
Personnalisation
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