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Transistors MOSFET IRFP460N N-CH 500V 20A TO-247 IGBT, MOSFET d'origine IRFP460 IRFP460NPBF IRFP460N

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Spécification

TO-247

Caractéristiques

Référence fabricant

IRFP460PBF

Type

MOSFET

Marque nom

HKST

Type de paquet

Traversants

Description

Through hole TO-247 thyristor, IRFP460N

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFP460PBF
Type
MOSFET
Marque nom
HKST
Type de paquet
Traversants
Description
Through hole TO-247 thyristor, IRFP460N
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-247
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Other
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
20A
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
500V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500V
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
1
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
Vidange de courant (Id)-Max
1
Tension-coupure (VGS off) @ Id
1
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
1
Tension-décalage (Vt)
1
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
standard
Part Number
IRFP460N
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Price
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Service
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vente Unités
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