Dispositif de mémoire intégré IS66WVH8M8BLL-100B1LI, comprenant une mémoire à accès aléatoire pseudo-statique de 64 Mbit
Note de la boutique :4.0
(404 avis)
Attributs
FLASH - Niède (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
D'origineInterface de mémoire
4M x 8Organisation de la mémoire
NormeType de montage
NormeType
Type d'expansion:D'origine
Référence fabricant:IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Marque nom:IC
Débit de données:133 MHz
Taille de La mémoire:32 Mbits
Point d'origine:Guangdong, China
Description:circuits intégrés
Type de conditionnement:Bande et bobine (BB)
Fonction:norme 2, norme 2
Application:Norme
Température de fonctionnement:-25~85℃
Package/Boîte:Norme
Série:Norme
Caractéristiques:Composants électroniques CI
Référence croisée:21
Chimie de la batterie:norme 6
Courant-approvisionnement (Max):D'origine
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Bus directionnel:D'origine
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 2,4 ms
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - Niède (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Interface de mémoire
D'origine
Organisation de la mémoire
4M x 8
Type de montage
Norme
Type
Norme
Type d'expansion
D'origine
Référence fabricant
IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Marque nom
IC
Débit de données
133 MHz
Taille de La mémoire
32 Mbits
Point d'origine
Guangdong, China
Description
circuits intégrés
Type de conditionnement
Bande et bobine (BB)
Fonction
norme 2, norme 2
Application
Norme
Température de fonctionnement
-25~85℃
Package/Boîte
Norme
Série
Norme
Caractéristiques
Composants électroniques CI
Référence croisée
21
Chimie de la batterie
norme 6
Courant-approvisionnement (Max)
D'origine
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Bus directionnel
D'origine
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
60 µs, 2,4 ms
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
15X15X10 cm
unique poids brut
0.500 kg
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