Ic Electronic Component Chip Integrated Circuit Transistors RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4 A5G21H605W19NR3
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Attributs
A5G21H605W19NR3Numéro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
OM-780-4S4SPackage / Case
Description:RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:GaN
Configuration:-
Frequency:2.11GHz ~ 2.2GHz
Gain:15.1dB
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
A5G21H605W19NR3
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
OM-780-4S4S
Description
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
GaN
Configuration
-
Frequency
2.11GHz ~ 2.2GHz
Gain
15.1dB
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
53,82 €
>= 3 100 pièce
26,91 €
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A5G21H605W19NR3
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