Ic Integrated Circuit RQ3P120BKFRATCB NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS Transistors Manufacturer Channel 8-HSMT (3.2x3)
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Attributs
RQ3P120BKFRATCBNuméro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
8-HSMT (3.2x3)Package / Case
Description:NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
RQ3P120BKFRATCB
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
8-HSMT (3.2x3)
Description
NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
0,8504 €
>= 3 100 pièce
0,4295 €
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RQ3P120BKFRATCB
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