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Transistor IGBT semi-conducteur discret Icschip, transistors bipolaires à porte isolée (IGBT NPT) IRGPS40B120UDP

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Spécification

IRGPS40B120UDP

Caractéristiques

Référence fabricant

IRGPS40B120UDP

Type

Transistor IGBT

Marque nom

Original factory

Type de paquet

TO-274AA

Description

IGBT 1200V 80A 595W SUPER247

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRGPS40B120UDP
Type
Transistor IGBT
Marque nom
Original factory
Type de paquet
TO-274AA
Description
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
Point d'origine
original
Package/Boîte
TO-274AA
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
IRGPS40
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
But général
Type de Fournisseur
Fabricant original
Référence croisée
FGH40T120SMD
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
80 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
3,7 V à 15 V, 50 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
160 A
Puissance Max
595 W
Type IGBT
NPT
Transistor Type
NPT
Type de montage
Traversant, Traversant
Catégories
Composants électroniques
État
Tout neuf et original 100%
Service Technologique Angel
Offrir un service complet pour les composants électroniques.
Produits principaux ICschip
Circuits intégrés, connecteurs, relais, fusibles, résistances, condensateurs

Emballage et livraison

vente Unités
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17X17X9 cm
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