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Transistor IGBT semi-conducteur discret Icschip, transistors bipolaires à porte isolée (IGBT NPT) AUIRG4PH50S

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6,30 €
10-99 pièce
5,40 €
100-299 pièce
4,50 €
≥300 pièce
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Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

DXTN81120DFDB-7

Type

Transistor IGBT

Marque nom

Original factory

Type de paquet

TO-247-3

Description

industrie

Point d'origine

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DXTN81120DFDB-7
Type
Transistor IGBT
Marque nom
Original factory
Type de paquet
TO-247-3
Description
industrie
Point d'origine
original
Package/Boîte
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
industrie
Code date de fabrication
2024 et plus
Application
But général
Type de Fournisseur
Fabricant original
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
141 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1,7 V à 15 V, 33 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
99 A
Puissance Max
543 W
Type IGBT
NPT
Configuration
SIMPLE
Transistor Type
IGBT
Type de montage
Traversant, Traversant
Catégories
Composants électroniques
État
Tout neuf et original 100%
Service Technologique Angel
Offrir un service complet pour les composants électroniques.
Produits principaux ICschip
Circuits intégrés, connecteurs, relais, fusibles, résistances, condensateurs

Emballage et livraison

vente Unités
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17X17X9 cm
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