En stock 24C04/P 8 Composants de mémoire DIP Électronique
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
512 par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:En vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:100 kilohertz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:1 ms
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
100 kilohertz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
1 ms
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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98 - 3 097 pièce
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>= 3 098 pièce
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24C04/P
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